Одиночные MOSFET транзисторы

₆₇₄

Напряжение сток-исток макс.: 100В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (674)

CSD19534Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON-FET (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

50A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

15.1 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.4В @ 250 µA

Заряд затвора:

22нКл @ 10В

Входная емкость:

1680пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

CSD19534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON-FET (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

50A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

15.1 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.4В @ 250 µA

Заряд затвора:

22нКл @ 10В

Входная емкость:

1680пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19535KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

150A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.4В

Заряд затвора:

101нКл

Входная емкость:

7930пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD19535KTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

200A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19535KTTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

200A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19536KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

150A

Сопротивление открытого канала:

2.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.2В

Заряд затвора:

153нКл

Входная емкость:

12000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

DMN10H220L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6A SOT-23

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.4A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

220 мОм @ 1.6А, 10В

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

8.3нКл @ 10В

Входная емкость:

401пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN10H700S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

700 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

4.6нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB035N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

7295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

15265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

74A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

5605пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TSOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC8601 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

109 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 34A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"