Одиночные MOSFET транзисторы

359
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (359)
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
5.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4842BDY-T1-E3 SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
6.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
3650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4874BDY-T1-E3 SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
3230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
6.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-PowerPakВ® ChipFet
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
134 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
134 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7135DP-T1-GE3 SI7135DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
8650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 354 шт
Цена от:
от 9,15
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
58 мОм
Мощность макс.:
19.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
665пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
58 мОм
Мощность макс.:
19.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
665пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
19.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"