Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
3357
Тип монтажа:
Surface Mount
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (3357)
STB140NF55T4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
142нКл
Входная емкость:
5300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB14NK60ZT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB150NF55T4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB155N3H6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STB155N3LH6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB15NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB160N75F3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 330Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
6750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB16NF06LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18N60M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
791пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NF25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NM60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
285 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NM80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB19NF20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650V
Ток стока макс.:
18A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
190 mOhm @ 9A, 10V
Мощность макс.:
130W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5V @ 250 µA
Заряд затвора:
36nC @ 10V
Входная емкость:
1434pF @ 100V
Тип монтажа:
Surface Mount
STB20N95K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 17.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
330 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STB21N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5А 0.199 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB21N90K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
18.5A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1645пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB21NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68325 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара