Одиночные MOSFET транзисторы

341
Напряжение сток-исток макс.: 40В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (341)
Акция
P1504BDG P1504BDG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40А 42Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
40A
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
P2504BDG P2504BDG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12А 41Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
P2804BDG P2804BDG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 42мОм 32Вт
Производитель:
Noname
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10А
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
103 шт
Цена от:
от 38,64
Акция
P3004BD P3004BD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 29А 30Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
29A
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
P4404EDG P4404EDG Транзистор полевой P-канальный 40В 10А 30Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10А
Мощность макс.:
30 Вт
Тип транзистора:
P-канал
P5504EDG P5504EDG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 21А 41Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
21A
Мощность макс.:
41 Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 524 шт
Цена от:
от 13,68
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42.3нКл
Входная емкость:
2683пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4124DY-T1-E3 SI4124DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 20.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
20.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 20.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
20.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
438 шт
Цена от:
от 53,22
SI7958DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-GE3 Сдвоенный Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA441DJ-T1-GE3 SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR470DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
5660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"