Одиночные MOSFET транзисторы

3376
Тип монтажа: Surface Mount
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3376)
SPD08P06PGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.83A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.83А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP04N60C3XKSA1 SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SQ2310ES-T1-GE3 SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-236
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ3418AEEV-T1_GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ3469EV-T1_GE3 SQ3469EV-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1020пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
2106пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 36A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
36А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SQS401EN-T1_GE3 SQS401EN-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK 1212 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SSM3K324R,LF(T Транзистор полевой MOSFET N-канальный SOT23F
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SSM3K329R,LF(B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.5A 3-Pin SOT-23F лента на катушке
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
STB100NF04T4 STB100NF04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB10N60M2 STB10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB11N52K3 STB11N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
510 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB120N4LF6 STB120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB120NF10T4 STB120NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
233нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
750 мОм @ 5.25А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 100 µA
Заряд затвора:
87нКл @ 10В
Входная емкость:
2620пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"