Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
3356
Тип монтажа:
Surface Mount
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (3356)
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS11NF30L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS1NK60Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.25A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
94пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS3P6F6
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3А
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS5NF60L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS6NF20V
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
11.5нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7NF60L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7PF30L
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STT5N2VH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
367пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
STV240N75F3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STV300NH02L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 280A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
200A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
7055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD08P06-155L-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
155 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD15N15-95-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19N20-90-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD23N06-31-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21.4A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
31.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD40N08-16-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252, (D-Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
40A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 mOhm @ 40A, 10V
Мощность макс.:
3W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3V @ 250 µA
Заряд затвора:
60nC @ 10V
Входная емкость:
2400pF @ 25V
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара