Одиночные MOSFET транзисторы

3376
Тип монтажа: Surface Mount
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3376)
STB70NF03LT4 STB70NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
30нКл @ 5В
Входная емкость:
1440пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB70NF3LLT4 STB70NF3LLT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB75NF20 STB75NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB75NF75T4 STB75NF75T4 MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
75V
Ток стока макс.:
80A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
11 mOhm @ 40A, 10V
Мощность макс.:
300W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4V @ 250 µA
Заряд затвора:
160nC @ 10V
Входная емкость:
3700pF @ 25V
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80N20M5 STB80N20M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
61A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
104нКл
Входная емкость:
4329пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF03L-04T4 STB80NF03L-04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55-06T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55-06T4 STB80NF55-06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
189нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55-08T4 STB80NF55-08T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
136нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80PF55T4 STB80PF55T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
258нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB85NF55T4 STB85NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STB8N65M5 STB8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD10NM50N STD10NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
630 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STD10PF06T4 STD10PF06T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD11NM60ND STD11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD120N4LF6 STD120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD12N50M2 STD12N50M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
STD12N65M2 STD12N65M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"