Одиночные MOSFET транзисторы

3376
Тип монтажа: Surface Mount
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3376)
STL70N4LLF5 STL70N4LLF5 Транзистор полевой 40В 70A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL80N75F6 STL80N75F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STR1P2UH7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS11NF30L STS11NF30L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS1NK60Z STS1NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.25A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
94пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS3P6F6 STS3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7NF60L STS7NF60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7PF30L STS7PF30L Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STU13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
STV240N75F3 STV240N75F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STV300NH02L STV300NH02L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 280A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
200A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
7055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
48 000 шт
Цена от:
от 55,80
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD40N10-25-E3 MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252, (D-Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
40A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 mOhm @ 40A, 10V
Мощность макс.:
3W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3V @ 250 µA
Заряд затвора:
60nC @ 10V
Входная емкость:
2400pF @ 25V
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
8.1 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
159нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
11300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"