Одиночные MOSFET транзисторы

3875
Тип транзистора: N-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3875)
STD16NF06LT4 STD16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD16NF25 STD16NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD1NK80Z-1 STD1NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
16 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25А 100Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD25NF10T4 STD25NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25А 0.033 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD2N62K3 STD2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD30N10F7 STD30N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD30NF03LT4 STD30NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD3LN62K3 STD3LN62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
386пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STD3NM60N STD3NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
188пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD45NF75T4 STD45NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
1760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK50ZT4 STD4NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD4NK80Z-1 STD4NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STD5N20LT4 STD5N20LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
242пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5N60M2 STD5N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
211пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5N62K3 STD5N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5N95K5 STD5N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 3.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12.5нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"