Одиночные MOSFET транзисторы

1301
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1301)
Акция
STD9NM60N STD9NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
745 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.4нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
51 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,23
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 129,51
Акция
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.0А 42Вт, 4.4 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
2 313 шт
Аналоги:
4 662 шт
Цена от:
от 59,03
Акция
IRF630 IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,70
Акция
IRFD120PBF IRFD120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3А 1.3Вт, 0.25 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVMDIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 111,74
IRF9620PBF IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
45 шт

Внешние склады:
230 шт
Цена от:
от 75,31
STP80NF55-08 STP80NF55-08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
45 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 139,31
Акция
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 385,66
Акция
STP62NS04Z STP62NS04Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 62A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
33В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,95
Новинка
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 110,14
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 218 шт
Цена от:
от 97,03
Акция
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6,6А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 46,61
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
38 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
20 шт
Цена от:
от 21,37
Новинка
FCP22N60N FCP22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
36 шт

Внешние склады:
3 шт
Цена от:
от 318,61
Акция
IRFB3256PBF IRFB3256PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.4 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
195нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,24
Акция
IRFP440PBF IRFP440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,71
Акция
IRFP3006PBF IRFP3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 257A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
29 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 347,35
Акция
FQA70N10 FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
28 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 206,08
STW70N60M2 STW70N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 68A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
68A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
450Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
28 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 242,75
Акция
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1426пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,96
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"