Одиночные MOSFET транзисторы

3875
Тип транзистора: N-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3875)
STU9N60M2 STU9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
780 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STV240N75F3 STV240N75F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STV300NH02L STV300NH02L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 280A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
200A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
7055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STW12NK95Z STW12NK95Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
113нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW13NK60Z STW13NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW18NM80 STW18NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW19NM50N STW19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW23NM50N STW23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW25N80K5 STW25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
STW25N95K3 STW25N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 22А 400Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
3680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW25NM60ND STW25NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW26NM50 STW26NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
106нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW28N60M2 STW28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A TO-247
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
37нКл @ 10В
Входная емкость:
1370пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STW28NM50N STW28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
158 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW32NM50N STW32NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62.5нКл
Входная емкость:
1973пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW33N60M2 STW33N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW34N65M5 STW34N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 28A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62.5нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW34NM60ND STW34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80.4нКл
Входная емкость:
2785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW36N55M5 STW36N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 33A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW40NF20 STW40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"