Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
3929
Тип транзистора:
N-канал
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (3929)
STP9NM60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
745 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
17.4нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STQ3N45K3-AP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 600мА
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
3.8 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STS11NF30L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS1NK60Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.25A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
94пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7NF60L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STS8DN3LLH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
STU12N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU13N60M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STU150N3LLH6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU2N62K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU3N62K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
385пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N52K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
334пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N62K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 3.8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N80K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU5N62K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU5N95K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU6N95K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU7N60M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU7N80K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
13.4нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара