Одиночные MOSFET транзисторы

3875
Тип транзистора: N-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3875)
STW43NM60ND STW43NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35А 255Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
88 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
145нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW52NK25Z STW52NK25Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 52A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW5NK100Z STW5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1154пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW62N65M5 STW62N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
142нКл
Входная емкость:
6420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW75NF20 STW75NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 75А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW75NF30AG STW75NF30AG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
320Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
164нКл
Входная емкость:
5930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW7N95K3 STW7N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 7.2А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1031пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW7NK90Z STW7NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
60.5нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STY139N65M5 STY139N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 130А 0.014 Ом, 625Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
MAX247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
625Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
363нКл
Входная емкость:
15600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21.4A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
31.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM45N25-58-E3 SUM45N25-58-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 375Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
45A
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
SUP40N25-60-E3 SUP40N25-60-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP90N06-6M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
263A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK100A10N1,S4X(S TK100A10N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
207A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK10E60W,S1VX(S TK10E60W,S1VX(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9.7A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK12Q60W,S1VQ(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"