Одиночные MOSFET транзисторы

3929
Тип транзистора: N-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3929)
Акция
TK3A65DA TK3A65DA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3АВт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3A
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
TK40A10N1,S4X(S TK40A10N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK40E10N1,S1X(S TK40E10N1,S1X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK49N65W,S1F(S TK49N65W,S1F(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 49.2А 55 мОм
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9,2A
Тип транзистора:
N-канал
TK58A06N1,S4X(S TK58A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
105A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK58E06N1,S1X(S TK58E06N1,S1X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
105A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1,S1X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
148A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK6A60W,S4VX(M TK6A60W,S4VX(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TN2404K-T1-E3 TN2404K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 200мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 501 шт
Цена от:
от 29,28
TN2510N8-G TN2510N8-G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
730мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TN2524N8-G TN2524N8-G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
360мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
6 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
TPC8037H TPC8037H Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 1.9Вт (рекомендуемая замена: TP89R103NL, TPC8065-H, TPC8064-H)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
TSM2312CX RFG TSM2312CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
11.2нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.8A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM3404CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8A SOT23
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
13.8нКл
Входная емкость:
400.96пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
WPH4003-1E WPH4003-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1700В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
1700В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN0124A ZVN0124A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.16A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
160мА
Сопротивление открытого канала:
16 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
85пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN2110GTA ZVN2110GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
75пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4206GVTA ZVN4206GVTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4210A ZVN4210A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 450мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"