Одиночные MOSFET транзисторы

125
Напряжение сток-исток макс.: 75В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (125)
Акция
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
359 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 387,73
IRFP3077PBF IRFP3077PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 340Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
340Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
280 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 249,66
Акция
IRFB3507PBF IRFB3507PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
97A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
261 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 89,53
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
232 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 195,38
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
223 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 77,97
STB140NF75T4 STB140NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 0.0065 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
218нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
820 шт
Цена от:
от 213,62
Акция
STP76NF75 STP76NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
133 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 77,98
Акция
IRFB7734PBF IRFB7734PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183А 290Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
183A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
290Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 77,42
STP140NF75 STP140NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
218нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 196,30
Акция
IRF3007PBF IRF3007PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 118,33
Акция
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
170нКл @ 10В
Входная емкость:
6920пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
83 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 118,93
AUIRFS3107-7P AUIRFS3107-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 230A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 399,06
Акция
IRFB7787PBF IRFB7787PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 83A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
4020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,80
Акция
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 385,66
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 143,50
AUIRF2807 AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3808S AUIRF3808S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
106A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
5310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
375A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм @ 96А, 10В
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
12222пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
470Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
620нКл
Входная емкость:
13000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFR2407 AUIRFR2407 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"