Одиночные MOSFET транзисторы

₅₅

Напряжение сток-исток макс.: 25В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (55)

CSD16404Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 81A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

5.1 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

1220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

5.3 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

8.1нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16407Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

2660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16409Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8.2 мОм

Мощность макс.:

2.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16411Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 56A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

3.8нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16413Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В

Заряд затвора:

11.7нКл

Входная емкость:

1780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2600UFB-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 1.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

3-DFN1006 (1.0x0.6)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

540мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.85нКл

Входная емкость:

70.13пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35А 14 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8780 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8782 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7570S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

4410пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7556S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

1.2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

133нКл

Входная емкость:

8965пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7558S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

1.25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

119нКл

Входная емкость:

7770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7560S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 30A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

1.45 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

93нКл

Входная емкость:

5945пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7570S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 28A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

1.95 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4515пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7580 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

29A(Ta),166A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм @ 29А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В @ 100 µA

Заряд затвора:

44нКл @ 4.5В

Входная емкость:

3890пФ @ 13В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6716MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

39A(Ta),180A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм @ 40А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В @ 100 µA

Заряд затвора:

59нКл @ 4.5В

Входная емкость:

5150пФ @ 13В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6795MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A DIRECTFET-MX

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

32A(Ta),160A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм @ 32А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 100 µA

Заряд затвора:

53нКл @ 4.5В

Входная емкость:

4280пФ @ 13В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6811STRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 19A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] SQ

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"