Одиночные MOSFET транзисторы

552
Напряжение сток-исток макс.: 600В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (552)
-6% Акция
FQPF5N60C FQPF5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
650 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 42,17
-6% Акция
FQPF7N60 FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 2.2А, 10В
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
71 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 106,22
-6% Акция
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.6A SOT-223-3, CoolMOS
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.6A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
934 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 20,41
IPP60R060P7XKSA1 IPP60R060P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
48А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
157 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 234,49
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.9A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
172 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 359,42
-6% Акция
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13А
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 146,07
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 53A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
391Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
122 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 432,64
IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 53А 391Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
53A
Мощность макс.:
391Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
144 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 366,02
-6% Акция
IPW60R120C7XKSA1 IPW60R120C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19A TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
19А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
224 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 463,44
-6% Акция
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.8А 176Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.8A
Мощность макс.:
176Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
44 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 282,79
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
639 шт

Внешние склады:
1 900 шт
Цена от:
от 52,06
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
2 862 шт
Цена от:
от 44,58
Акция
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
266 шт

Внешние склады:
3 450 шт
Цена от:
от 26,23
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
502 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 87,89
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
651 шт

Внешние склады:
1 170 шт
Цена от:
от 92,39
Акция
IRFDC20PBF IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 139,34
-6% Акция
IRFIBC40GPBF IRFIBC40GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,26
IRFP27N60KPBF IRFP27N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 27А 500Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
4660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
456 шт

Внешние склады:
885 шт
Цена от:
от 207,87
-6% Акция
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
1 115 шт
Цена от:
от 186,13
IRFPC60LCPBF IRFPC60LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 003 шт

Внешние склады:
535 шт
Цена от:
от 231,01
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"