Одиночные MOSFET транзисторы

552
Напряжение сток-исток макс.: 600В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (552)
IRFPC60LCPBF IRFPC60LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
971 шт

Внешние склады:
440 шт
Цена от:
от 221,37
SK04N65B-TF SK04N65B-TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт
Производитель:
Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd.
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
969 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 500 шт
Цена от:
от 15,25
-5% Акция
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.6A SOT-223-3, CoolMOS
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.6A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
826 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,47
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
800 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 725 шт
Цена от:
от 72,37
Акция
STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
752 шт

Внешние склады:
810 шт
Цена от:
от 38,39
STW34NM60N STW34NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 250Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2722пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
694 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 418,57
Акция
STP9N60M2 STP9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
780 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
679 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 206,42
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
634 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 58,42
WMO07N60C4 WMO07N60C4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 600В, ток стока 5А
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
632 шт

Внешние склады:
7 378 шт
Цена от:
от 19,00
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
619 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 116,83
-5% Акция
STD10NM60ND STD10NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
577пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
589 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,33
STP5NK60ZFP STP5NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
573 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,24
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
540 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,74
TK6A60D (STA4,Q,M) TK6A60D (STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220SIS (SC-67)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
533 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 45,45
-5% Акция
FQPF5N60C FQPF5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
516 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,82
STP24NM60N STP24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 120Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
473 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 200,60
IRFP27N60KPBF IRFP27N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 27А 500Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
4660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
455 шт

Внешние склады:
250 шт
Цена от:
от 288,45
TK10A60D TK10A60D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 45Вт (рекомендуемая замена: TK750A60F)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
450 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,33
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
447 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,34
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 600В, ток стока 50А
Производитель:
Wayon
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
50А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
423 шт

Внешние склады:
4 491 шт
Цена от:
от 159,03
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"