Одиночные MOSFET транзисторы

52
Ток стока макс.: 4A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (52)
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.1нКл
Входная емкость:
294пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3418L-7 DMG3418L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
464.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2056U-7 DMN2056U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
940мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
4.3нКл
Входная емкость:
339пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2572 FDB2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC642P FDC642P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
925пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC642P-F085 FDC642P-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC658P FDC658P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2572 FDD2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5N50NZ FDD5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 62Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
-5% Акция
FDD5N50TM FDD5N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8622 FDMC8622 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.3нКл
Входная емкость:
402пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP2572 FDP2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPS80R1K4P7AKMA1 IPS80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Тип монтажа:
Through Hole
-5% Акция
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10.05нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
123 шт
Цена от:
от 44,45
IRF9510STRLPBF IRF9510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
550 шт
Цена от:
от 100,24
NDT3055 NDT3055 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT3055L NDT3055L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI1441EDH-T1-GE3 SI1441EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"