Одиночные MOSFET транзисторы

₄₁

Ток стока макс.: 21A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (41)

FDD8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

118нКл

Входная емкость:

5160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDMS7670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

4105пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDS6699S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Акция

FQP20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

53Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IPB60R165CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 21A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

192Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Акция

IRF7862PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

4090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 113 шт

Цена от:

от 49,59₽

IRF8734PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

8-SO

Напряжение сток-исток макс.:

30V

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.5 mOhm

Мощность макс.:

2.5W

Тип транзистора:

N-Channel

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35V

Заряд затвора:

30nC

Входная емкость:

3175pF

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFH5006TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFP21N60LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

320 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRLHM630TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (3x3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

29.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19.5нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIHB22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIHF22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIHG22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIR836DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

15.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SPP21N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

STB25NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21А 160Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STP28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

158 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1735пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

STW25NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"