Одиночные MOSFET транзисторы

₃₉

Ток стока макс.: 100A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (39)

CSD18563Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

6.8 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19531KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

7.7 мОм

Мощность макс.:

179Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.3В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

3870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD19533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

11.1 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9407_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

112нКл

Входная емкость:

6390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDL100N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 100A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

2500Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

238нКл

Входная емкость:

12000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB026N06NATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD100N04S402ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3-313

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

118нКл

Входная емкость:

9430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP05CN10NGXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

100A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP100N04S303AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

214Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

145нКл

Входная емкость:

9600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR3711TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

2980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR6225PBF Транзистор полевой 20В 100A 4.0мОм 2.5В

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

100A

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 702 шт

Цена от:

от 55,81₽

PH2520U,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.7 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

5850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R2-25YL,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

1.2 мОм

Мощность макс.:

121Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

105нКл

Входная емкость:

6380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R8-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

270Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

10180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R0-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм

Мощность макс.:

211Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

117нКл

Входная емкость:

6810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30YLDX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

106Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

31.3нКл

Входная емкость:

2256пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

306Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

125нКл

Входная емкость:

8400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SMP3003-DL-1E Транзистор полевой MOSFET P-канальный 75В 100A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263 (DВІPak)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Заряд затвора:

280нКл

Входная емкость:

13400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL100N6LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

8900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43067 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"