Одиночные MOSFET транзисторы

67
Ток стока макс.: 8A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (67)
2SK2654 2SK2654 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 150Вт
Производитель:
Fuji Electric
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK2847 2SK2847 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 85Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK4097 2SK4097 Транзистор полевой N-канальный 500В 8А 35Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
AON2406 AON2406 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8A 6-Pin DFN-B EP лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
6-DFN-EP (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AP2763 I-A AP2763 I-A Транзистор полевой N-канальный 750В 8А 50Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
750В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
-5% Акция
BUZ91A BUZ91A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 0.9Ом 150Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
FDB2532 FDB2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
5870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD86250 FDD86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
2110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD86326 FDD86326 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME910PZT FDME910PZT Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
2110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP8N50NZ FDP8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
40.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS5680 FDS5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS6375 FDS6375 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2694пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA8N100C FQA8N100C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQAF13N80 FQAF13N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB8P10TM FQB8P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQH8N100C FQH8N100C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8N80C FQP8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.55 Ом
Мощность макс.:
178Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8P10 FQP8P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"