Одиночные MOSFET транзисторы

62
Ток стока макс.: 16A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (62)
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
27.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
846пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 282 шт
Цена от:
от 24,36
SI8499DB-T2-E1 SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-Micro Foot[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 31,26
SIHG16N50C-E3 SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
11 шт
Цена от:
от 119,61
SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 303,64
STB16NF06LT4 STB16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 43,21
STF22NM60N STF22NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 008 шт
Цена от:
от 64,71
STP22NM60N STP22NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 350 шт
Цена от:
от 77,37
2SK3687 2SK3687 Транзистор полевой N-канальный 600В 16А 97Вт
Производитель:
Fujitsu Limited
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Мощность макс.:
97Вт
Тип транзистора:
N-канал
CSD17302Q5A CSD17302Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCA16N60N FCA16N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
134.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCP16N60N FCP16N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
134.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF16N60 FCPF16N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
37.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDD8444L_F085 FDD8444L_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
153Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7676 FDMS7676 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8874 FDP8874 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 114A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
3130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8896 FDP8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 92A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF16N50 FDPF16N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS6574A FDS6574A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
7657пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
34Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"