Одиночные MOSFET транзисторы

64
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (64)
2N7002BKM,315 2N7002BKM,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2V7002LT3G 2V7002LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
115мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 866 шт
Цена от:
от 4,24
AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS127S-7 BSS127S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.05A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
50мА
Сопротивление открытого канала:
160 Ом
Мощность макс.:
610мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
1.08нКл
Входная емкость:
21.8пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.23A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
340мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK6217-55C,118 BUK6217-55C,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
33.8нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7631-100E,118 BUK7631-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 34A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29.4нКл
Входная емкость:
1738пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9212-55B,118 BUK9212-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
3519пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK92150-55A,118 BUK92150-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
338пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9226-75A,118 BUK9226-75A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 45A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
24.6 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9230-100B,118 BUK9230-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
3805пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9237-55A,118 BUK9237-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 32A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
77Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1236пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9240-100A,118 BUK9240-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
38.6 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3072пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9277-55A,118 BUK9277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
643пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 56A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
12.8 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
20.5нКл
Входная емкость:
2651пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R2-80E,118 BUK964R2-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
349Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
17130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R4-40B,118 BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 174A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
7124пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
9710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
824пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
26.8нКл
Входная емкость:
4077пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"