Одиночные MOSFET транзисторы

92
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (92)
AUIRF1010EZ AUIRF1010EZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм @ 51А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
86нКл @ 10В
Входная емкость:
2810пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм @ 51А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
86нКл @ 10В
Входная емкость:
2810пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF1010ZL AUIRF1010ZL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
95нКл @ 10В
Входная емкость:
2840пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
6450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF3205ZSTRL AUIRF3205ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF3710ZS AUIRF3710ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
2900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF4905S AUIRF4905S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
180нКл @ 10В
Входная емкость:
3500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRF540ZSTRL AUIRF540ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7739L2TR AUIRF7739L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 375A DIRECTFET2
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
46A(Ta),270A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1 мОм @ 160А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
330нКл @ 10В
Входная емкость:
11880пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
375A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм @ 96А, 10В
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
12222пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
375A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм @ 74А, 10В
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
11560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR4104 AUIRFR4104 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR4105Z AUIRFR4105Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
24.5 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
27нКл @ 10В
Входная емкость:
740пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
205 мОм @ 7.8А, 10В
Мощность макс.:
66Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
58нКл @ 10В
Входная емкость:
760пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR6215 AUIRFR6215 Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 P-канальный -150В -13А [D-PAK]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
175 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
19нКл @ 10В
Входная емкость:
350пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010 AUIRFS4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010-7P AUIRFS4010-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7P
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
230нКл @ 10В
Входная емкость:
9830пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFSL4010 AUIRFSL4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ44N AUIRFZ44N Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 49А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1470пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70844 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"