Одиночные MOSFET транзисторы

₃₈

Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (38)

Акция

IRF7473PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.9A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRF7473TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.9A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFB59N10DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

114нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

IRFB61N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3470пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRFIB41N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 41A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB Full-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

41A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2520пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRFP4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72А 190Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

72A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

IRFR13N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14А 86Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

150 шт

Цена от:

от 261,09₽

Акция

IRFR13N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

235 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 702 шт

Цена от:

от 68,24₽

Акция

IRFR15N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFR15N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFR18N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Акция

IRFR18N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Акция

IRFR9N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.4А 86Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 282 шт

Цена от:

от 60,27₽

IRFS31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

2370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFS31N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

2370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SPB20N60S5ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

103нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SPP11N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

1460пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SPU02N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO251-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

9.5нКл

Входная емкость:

240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"