Одиночные MOSFET транзисторы

₃₇

Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (37)

IRF8707PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

11.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

9.3нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 656 шт

Цена от:

от 18,57₽

Акция

IRF8714PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1020пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 746 шт

Цена от:

от 25,11₽

Акция

IRF8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 842 шт

Цена от:

от 30,18₽

IRF8736PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт, 0.0048 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 636 шт

Цена от:

от 12,86₽

Акция

IRF8788PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

5720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 803 шт

Цена от:

от 49,38₽

IRFH7914TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7932TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

4270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8318TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 50A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

IRLB8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

78A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

5110пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 65A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

8.4 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 679 шт

Цена от:

от 7,97₽

Акция

IRLR8729PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

58A

Сопротивление открытого канала:

8.9 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8729TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

58A

Сопротивление открытого канала:

8.9 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

4880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 726 шт

Цена от:

от 39,83₽

IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLU8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"