Одиночные MOSFET транзисторы

468
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (468)
-6% Акция
IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 709 шт

Внешние склады:
4 085 шт
Цена от:
от 31,01
IRF6218PBF IRF6218PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
280 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 184,08
IRF740BPBF IRF740BPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
526пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
193 шт
Цена от:
от 83,70
Акция
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1647пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
674 шт

Внешние склады:
4 453 шт
Цена от:
от 50,57
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 508 шт

Внешние склады:
7 850 шт
Цена от:
от 53,22
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16А, 220Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
220Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
489 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 168,05
Акция
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
562 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,62
IRFB4115PBF IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 678 шт

Внешние склады:
10 682 шт
Аналоги:
4 392 шт
Цена от:
от 44,13
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 76А, 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
471 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 114,74
Акция
IRFB4137PBF IRFB4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
5168пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
350 шт
Цена от:
от 309,61
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 644 шт

Внешние склады:
12 413 шт
Цена от:
от 51,01
Акция
IRFB4228PBF IRFB4228PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
83A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
4530пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 185,64
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 46А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
352 шт

Внешние склады:
1 691 шт
Цена от:
от 78,59
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
473 шт

Внешние склады:
1 250 шт
Цена от:
от 79,26
Акция
IRFB4332PBF IRFB4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 390Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
493 шт

Внешние склады:
2 056 шт
Цена от:
от 72,82
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
424 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 81,53
Акция
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35А 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 442 шт

Внешние склады:
7 292 шт
Цена от:
от 39,61
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
546 шт

Внешние склады:
1 393 шт
Цена от:
от 82,93
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
479 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 37,63
-6% Акция
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
665 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 54,42
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"