Одиночные MOSFET транзисторы

65
Заряд затвора: 15нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (65)
FDS3692 FDS3692 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
746пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS86252 FDS86252 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
955пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB8P10TM FQB8P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD20N06TM FQD20N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16.8A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD2N80TM FQD2N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
6.3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD2N90TM FQD2N90TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
7.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD8P10TM_F085 FQD8P10TM_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP2N90 FQP2N90 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
7.2 Ом
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8P10 FQP8P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF20N06 FQPF20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
6.3 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF7465PBF IRF7465PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 541 шт
Цена от:
от 32,94
Акция
IRL2703PBF IRL2703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
980 шт
Цена от:
от 85,94
Акция
IRLR024NPBF IRLR024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
13 084 шт
Цена от:
от 14,20
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
13 084 шт
Цена от:
от 14,20
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT2955 NDT2955 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.5А 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
601пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT3055 NDT3055 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"