Одиночные MOSFET транзисторы

38
Заряд затвора: 29нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
Акция
IRFR13N15DPBF IRFR13N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14А 86Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
141 шт
Цена от:
от 234,98
NDD04N60ZT4G NDD04N60ZT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD5865NLT4G NTD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1901пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTTFS4824NTAG NTTFS4824NTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
660мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
2363пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1485пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA421DJ-T1-GE3 SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
31.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
23.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
802пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB13N80K5 STB13N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
STD150N3LLH6 STD150N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 2.8 мОм
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF24N60M2 STF24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STFW24N60M2 STFW24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STI24N60M2 STI24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP13N80K5 STP13N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP24N60M2 STP24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SVD5865NLT4G SVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"