Одиночные MOSFET транзисторы

₅₄

Заряд затвора: 17нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (54)

ZXMN10A25GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.9A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

859пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 000 шт

Цена от:

от 63,85₽

FDC653N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP6030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDT459N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

365пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

700 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP11P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

53Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF5N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.8 Ом

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU11P06TU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF5805TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro6[тм](TSOP-6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

98 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

511пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6811STRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 19A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] SQ

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 678 шт

Цена от:

от 21,04₽

MTD3055V Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.42029 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"