Одиночные MOSFET транзисторы

44
Заряд затвора: 10нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (44)
STU2N95K5 STU2N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 400 шт
Цена от:
от 50,40
AO3434A AO3434A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
245пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR120Z AUIRFR120Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17309Q3 CSD17309Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
5.4 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC634P FDC634P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P029Z FDFMA2P029Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN339AN FDN339AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPS80R1K4P7AKMA1 IPS80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR120ZPBF IRFR120ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7А 35Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 600 шт
Цена от:
от 26,52
IRLR8259PBF IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLU8259PBF IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
MTD3055VL MTD3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MTP3055VL MTP3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NVD3055L170T4G NVD3055L170T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
275пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD3055L170T4G-VF01 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±15В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
275пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
112 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 788 350 шт
Цена от:
от 0,92
SI2302-TP SI2302-TP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
72 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
237пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
83 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ3418AEEV-T1_GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD12NF06LT4 STD12NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"