Одиночные MOSFET транзисторы

₄₄

Заряд затвора: 10нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (44)

STD1NK60-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

8.5 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

156пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 450 шт

Цена от:

от 29,99₽

STD2N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

950В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

105пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 43,33₽

STD9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

780 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 28,88₽

STF2N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

950В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

105пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 650 шт

Цена от:

от 22,19₽

STQ1HNK60R-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 400мА

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

400мА

Сопротивление открытого канала:

8.5 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

156пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Цена от:

от 31,55₽

AUIRFR120Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17309Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

5.4 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.7В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P029Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

95 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN339AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

29 194 шт

Цена от:

от 5,58₽

IPS80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

32Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

10нКл

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR120ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7А 35Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 600 шт

Цена от:

от 41,46₽

IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

MTD3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055L170T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 39,60₽

NVTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.95A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.13A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2300DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

68 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ3418AEEV-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD12NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4151 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"