Одиночные MOSFET транзисторы

38
Заряд затвора: 11нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
FDS8449 FDS8449 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFD9010PBF IRFD9010PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 1.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ14GPBF IRFIZ14GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFL014NPBF IRFL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 559 шт
Цена от:
от 29,55
IRFL014PBF IRFL014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
982 шт
Цена от:
от 23,22
IRFR014PBF IRFR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU014PBF IRFU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLL024ZPBF IRLL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 973 шт
Цена от:
от 40,83
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR3715ZPBF IRLR3715ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 49A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.55В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT014 NDT014 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB120EPEZ PMXB120EPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
309пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP4N52K3 STP4N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
334пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N52K3 STU4N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
334пФ
Тип монтажа:
Through Hole
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"