Одиночные MOSFET транзисторы

₃₈

Заряд затвора: 11нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (38)

Акция

IRLR7807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

13.8 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

689 шт

Цена от:

от 52,42₽

BUK9277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

69 мОм

Мощность макс.:

51Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

643пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17506Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

1650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8449 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD9010PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 1.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ14GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

27Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 069 шт

Цена от:

от 19,44₽

IRFL014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 203 шт

Цена от:

от 23,08₽

IRFR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 000 шт

Цена от:

от 31,78₽

Акция

IRLL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 728 шт

Цена от:

от 34,56₽

IRLMS5703TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro6[тм](TSOP-6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR3715ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 49A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

49A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.55В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT014 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB120EPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN (1.1x1)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

309пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP4N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

525В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

2.6 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

334пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU4N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

525В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

2.6 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

334пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4151 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"