Одиночные MOSFET транзисторы

₄₇

Заряд затвора: 50нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (47)

FDD4141_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2775пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86152 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

3370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB22P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF22P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13.2A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MN

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7404PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7А 2.5Вт, 0.04 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 176 шт

Цена от:

от 31,16₽

Акция

IRF7452PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

930пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

32 шт

Цена от:

от 696,54₽

Акция

IRF7842PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

10 943 шт

Цена от:

от 47,39₽

Акция

IRLL3303PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.6A

Сопротивление открытого канала:

31 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

398 шт

Цена от:

от 58,15₽

IRLR3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55А 69Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 086 шт

Цена от:

от 68,21₽

Акция

IRLR7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 009 шт

Цена от:

от 45,34₽

Акция

IRLR7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

161A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

16 024 шт

Цена от:

от 8,97₽

NTB25P06T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

27.5A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4420BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4434DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 386 шт

Цена от:

от 13,30₽

SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4840BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4840BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"