Одиночные MOSFET транзисторы

₃₉

Заряд затвора: 26нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (39)

IRF530SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7811AVPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A 2,5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1801пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 402 шт

Цена от:

от 108,82₽

IRF8736PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт, 0.0048 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 636 шт

Цена от:

от 12,86₽

IRF9Z20PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

9.7A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

480пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3709ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 79Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 511 шт

Цена от:

от 9,80₽

IRFR4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 992 шт

Цена от:

от 50,90₽

NTD20P06LT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15.5А 65Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4686DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18.2A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

5.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5459DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® ChipFet Single

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

10.9Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

665пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8416DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD4NK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STD5N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

4.2A

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD7NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

535пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF5N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

4.2A

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP7NK40ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

535пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU5N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

4.2A

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

ZXMN10A09KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

2.15Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1313пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"