Одиночные MOSFET транзисторы

71
Заряд затвора: 110нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (71)
Акция
FQP32N20C FQP32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
228 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 139,73
-6% Акция
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
218 шт

Внешние склады:
195 шт
Цена от:
от 165,81
IRFI4321PBF IRFI4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
197 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 214,65
IRFI4227PBF IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
124 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 322,12
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 611,43
Акция
FQA70N10 FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
28 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 206,08
Акция
AUIRF6218S AUIRF6218S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
68 шт
Цена от:
от 189,05
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 328,07
SUP85N15-21-E3 SUP85N15-21-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
424 шт
Аналоги:
9 136 шт
Цена от:
от 291,99
AUIRF3205ZS AUIRF3205ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR2405 AUIRFR2405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR2407 AUIRFR2407 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL1404Z AUIRL1404Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB3632 FDB3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA32N20C FQA32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
204Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA40N25 FQA40N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA46N15 FQA46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP46N15 FQP46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 45.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
45.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP47P06 FQP47P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP70N10 FQP70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"