Одиночные MOSFET транзисторы

62
Заряд затвора: 12нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (62)
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 265 шт
Цена от:
от 21,60
FQD2N60CTM FQD2N60CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 916 шт
Цена от:
от 22,86
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 115,14
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 34,08
IRFR310PBF IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 100 шт
Аналоги:
3 110 шт
Цена от:
от 82,44
IRL520PBF IRL520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2A,
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
719 шт
Цена от:
от 51,00
NTGS4141NT1G NTGS4141NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 15,96
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
72 мОм
Мощность макс.:
317мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 7,38
PMXB75UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
317мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
608пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 37,92
PSMN014-40YS,115 PSMN014-40YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
702пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 53,46
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 028 шт
Аналоги:
29 089 шт
Цена от:
от 27,78
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
216 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 985 шт
Цена от:
от 23,10
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 473 шт
Цена от:
от 13,02
STD12NF06T4 STD12NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 80,52
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 40,32
STD4NK50ZT4 STD4NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 95,58
CSD17552Q3A CSD17552Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17552Q5A CSD17552Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP3130L-7 DMP3130L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
432пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC637BNZ FDC637BNZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
895пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"