Одиночные MOSFET транзисторы

₆₂

Заряд затвора: 12нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

IRFD9014PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DIP-4

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

210 шт

Цена от:

от 136,77₽

IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 100 шт

Аналоги:

2 320 шт

Цена от:

от 93,05₽

CSD17552Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

2.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

2050пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17552Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

2050пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3130L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A SOT-23

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

432пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

895пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC658P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA420NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

935пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5632N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

475пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD13N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD2N60CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

4.7 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQU2N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

4.7 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R600P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

557пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF8714PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1020пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 746 шт

Цена от:

от 25,11₽

Акция

IRF8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 842 шт

Цена от:

от 30,18₽

IRF9Z14STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

119 шт

Цена от:

от 48,52₽

IRFH7914TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9014PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1А 25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

672 шт

Цена от:

от 27,46₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"