Одиночные MOSFET транзисторы

₄₆

Заряд затвора: 60нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (46)

FDMS86103L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

3710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDP18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18А 235Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

265 мОм

Мощность макс.:

235Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF18N50T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

265 мОм

Мощность макс.:

38.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6576 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

4044пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP77N06S212AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

77A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

158Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7822PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

572 шт

Цена от:

от 50,37₽

IRFBC40SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFPC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR48ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

91Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ44ESPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

740 шт

Цена от:

от 56,53₽

IRFZ44ESTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

740 шт

Цена от:

от 42,27₽

IRL2203NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

116A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

3290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NDB6060L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDP6060L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIR882ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1975пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPA08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPI08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STB21NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"