Одиночные MOSFET транзисторы

₆₁

Заряд затвора: 18нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (61)

FDC3512 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

634пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35А 14 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2610 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-Power33 (3x3)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2674 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 220В 1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-Power33 (3x3)

Напряжение сток-исток макс.:

220В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

366 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

965пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86324 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

965пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

139Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

735пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

40.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

735пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9520SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9520STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

4.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

4.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI9520GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 565 шт

Цена от:

от 20,72₽

IRFR9120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 565 шт

Цена от:

от 49,97₽

IRLR024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR024TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLU024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"