Одиночные MOSFET транзисторы

₅₁

Заряд затвора: 38нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (51)

AUIRFR4620 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19531KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

7.7 мОм

Мощность макс.:

179Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.3В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

3870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6670AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.5A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 10.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

620 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB7N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 74А 1000 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 9.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

620 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

620 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7420PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 11.5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

3529пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7815PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

43 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1647пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 054 шт

Цена от:

от 77,12₽

IRF830SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF830STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF840ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1018пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF840ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1018пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 шт

Цена от:

от 94,08₽

IRF840ASTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1018пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 шт

Цена от:

от 148,13₽

Акция

IRF9333PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

19.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

389 шт

Цена от:

от 7,28₽

IRF9530STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

127 шт

Цена от:

от 75,29₽

IRFBF20LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

41 шт

Цена от:

от 111,42₽

IRFIBE20GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

6.5 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

530пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"