Одиночные MOSFET транзисторы

₄₇

Входная емкость: 1300пФ

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (47)

Акция

IRFI644GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

7.9A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

200 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 166,73₽

-5% Акция

IRFIBE30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

78 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 43,66₽

-5% Акция

IRFIBC40GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

51 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 42,95₽

IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

37 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 852 шт

Цена от:

от 235,47₽

-5% Акция

IRFP440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

20 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 50,07₽

IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

783 шт

Аналоги:

1 106 шт

Цена от:

от 149,77₽

IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

633 шт

Цена от:

от 151,90₽

STF22NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

24 шт

Цена от:

от 461,85₽

CSD16327Q3T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 21A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON-EP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

8.4нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75332P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 60A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

145Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

85нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

94Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRFBC40SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFBE30SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

-5% Акция

IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRFPC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

IRFR1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

10 022 шт

Цена от:

от 35,86₽

IRFR1205TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

10 022 шт

Цена от:

от 35,86₽

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"