Одиночные MOSFET транзисторы

₄₅

Сопротивление открытого канала: 190 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (45)

FCA20N60_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

3080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF190N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20.6A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

82нКл

Входная емкость:

3175пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDG316P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

165пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPA50R190CEXKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24.8A туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

32Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Super Junction

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

47.2нКл

Входная емкость:

1137пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R190P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20.2A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

34Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB60R190C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-2

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20.2A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R190CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

17.5A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R190CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

17.5A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R190E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20,2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

20.2A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

1620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR120ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7А 35Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

600 шт

Цена от:

от 94,73₽

SPB20N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

20.7A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

114нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPB20N60S5ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

103нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP21N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STB21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5А 0.199 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF20N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1345пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STF23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 17А 30Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STFW24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-3PF

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STI24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"