Одиночные MOSFET транзисторы

40
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
STD100N10F7 STD100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
35 000 шт
Цена от:
от 65,40
STP100N10F7 STP100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
25 000 шт
Цена от:
от 79,02
STP80NF06 STP80NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
56 шт
Цена от:
от 312,30
AON6414A AON6414A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL3705ZS AUIRL3705ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6670A FDD6670A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7692A FDMS7692A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS6670A FDS6670A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75344P3 HUF75344P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
285Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF3205SPBF IRF3205SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
3247пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7458PBF IRF7458PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 71,64
Акция
IRL2505SPBF IRL2505SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
167 шт
Цена от:
от 323,88
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 130Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 010 шт
Цена от:
от 57,78
SMP3003-DL-1E SMP3003-DL-1E Транзистор полевой MOSFET P-канальный 75В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
13400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55-08T4 STB80NF55-08T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB85NF55T4 STB85NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD60N3LH5 STD60N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STP85NF55 STP85NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"