Одиночные MOSFET транзисторы

38
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 14,11
-6% Акция
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 8,92
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97А 2Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.97A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12.4нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 9,56
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 52,88
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 31,38
ZXMN2A14FTA ZXMN2A14FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.6нКл
Входная емкость:
544пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 17,46
ZXMP4A16GTA ZXMP4A16GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.1нКл
Входная емкость:
1007пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 30,63
FDS3692 FDS3692 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
746пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF20N06 FQPF20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 679 шт
Цена от:
от 53,20
Акция
IRF5305SPBF IRF5305SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 3.8Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 308 шт
Цена от:
от 71,58
Акция
IRF7204PBF IRF7204PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3А 2.5Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
615 шт
Цена от:
от 14,23
Акция
IRF7452PBF IRF7452PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
32 шт
Цена от:
от 705,58
Акция
IRLL024ZPBF IRLL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 728 шт
Цена от:
от 33,70
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.4А 1.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
9нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3443CDV-T1-E3 SI3443CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.97A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12.4нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 9,56
SUP40N25-60-E3 SUP40N25-60-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
TSM3401CX RFG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
551.57пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"