Одиночные MOSFET транзисторы

₄₃

Сопротивление открытого канала: 180 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (43)

FQD13N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR13N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14А 86Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

141 шт

Цена от:

от 234,98₽

Акция

IRL520NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 000 шт

Цена от:

от 108,99₽

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 271 шт

Цена от:

от 88,73₽

IRL640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 271 шт

Цена от:

от 113,97₽

IRLI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLMS5703TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro6[тм](TSOP-6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MCH3475-TL-E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-MCPH

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Заряд затвора:

2нКл

Входная емкость:

88пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MTD3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MTP3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD2955-1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NVD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

2.5нКл

Входная емкость:

165пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB22N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2415пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STF23NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19А 0.15 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

19.5A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2050пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP23NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19.5А 150Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

19.5A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"