Одиночные MOSFET транзисторы

₃₀

Мощность макс.: 2.8Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MT

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

23A(Ta),150A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.4 мОм @ 23А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В @ 250 µA

Заряд затвора:

63нКл @ 4.5В

Входная емкость:

5950пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6641TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.6А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MZ

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.6A(Ta),26A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

59.9 мОм @ 5.5А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 150 µA

Заряд затвора:

48нКл @ 10В

Входная емкость:

2290пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MN

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

29A(Ta),166A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм @ 29А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В @ 100 µA

Заряд затвора:

44нКл @ 4.5В

Входная емкость:

3890пФ @ 13В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6726MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

32A(Ta),180A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.7 мОм @ 32А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 150 µA

Заряд затвора:

77нКл @ 4.5В

Входная емкость:

6140пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6795MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A DIRECTFET-MX

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

32A(Ta),160A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм @ 32А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 100 µA

Заряд затвора:

53нКл @ 4.5В

Входная емкость:

4280пФ @ 13В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8304MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28A MX

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

28A(Ta),170A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 100 µA

Заряд затвора:

42нКл @ 4.5В

Входная емкость:

4700пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6А 2.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

295 шт

Цена от:

от 27,50₽

SI1427EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

64 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

21нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1480DH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"