Одиночные MOSFET транзисторы

40
Мощность макс.: 160Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
-6% Акция
STP8NK100Z STP8NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.5А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.85 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
102нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 234,97
-6% Акция
STP9NK90Z STP9NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2115пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 201,55
STW10NK80Z STW10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 329,20
2SK2372 2SK2372 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 25А 160Вт
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
25A
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
AUIRF3710Z AUIRF3710Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3710ZS AUIRF3710ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
2900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ48N AUIRFZ48N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 69A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
69A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDD8870 FDD8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
5160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP47P06 FQP47P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP70N10 FQP70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP85N06 FQP85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 85A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 332 шт
Цена от:
от 92,10
Акция
STB25NM60ND STB25NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB35N65M5 STB35N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 27А 0.098 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
98 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
83нКл
Входная емкость:
3750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP12NM50 STP12NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 35Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP15NK50Z STP15NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
106нКл
Входная емкость:
2260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP35N65M5 STP35N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 27А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
98 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
83нКл
Входная емкость:
3750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP40NF20 STP40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW25NM60ND STW25NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW40NF20 STW40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.42548 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"