Одиночные MOSFET транзисторы

97
Мощность макс.: 1Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (97)
-5% Акция
FDS6690AS FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
340 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,09
-5% Акция
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.09А 1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
0.09A
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
330 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 42,60
FDT86102LZ FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
297 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 87,91
-5% Акция
IRFD210PBF IRFD210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
289 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,18
FDS4410 FDS4410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
231 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,17
-5% Акция
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
128 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 62,59
Акция
IRFDC20PBF IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 140,99
Акция
IRLL3303TRPBF IRLL3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6А SOT223 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 98,05
-5% Акция
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.19А 1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-SOT89
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
0.19A
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 366 шт
Цена от:
от 28,40
FDS9435A FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
528пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,95
FDS6680A FDS6680A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12.5A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 104,23
AO3435 AO3435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
745пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS192,135 BSS192,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 200мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89 (TO-243)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 401 шт
Цена от:
от 24,49
BSS87,115 BSS87,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 400mА, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 1mA
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD23202W10 CSD23202W10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
4-DSBGA (1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
53 мОм @ 500mА, 4.5В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ @ 250 µA
Заряд затвора:
3.8нКл @ 4.5В
Входная емкость:
512пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3660AS FDMS3660AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A/30A 8-Pin Power 56 EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A,30A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 13А, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2670 FDS2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1228пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2672 FDS2672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2734 FDS2734 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-5% Акция
FDS3580 FDS3580 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"