Одиночные MOSFET транзисторы

₄₃

Мощность макс.: 60Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (43)

STP3N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3.5 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

9.5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 100 шт

Цена от:

от 93,72₽

Акция

STP7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

271пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

950 шт

Цена от:

от 107,76₽

STU3N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3.5 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

9.5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 625 шт

Цена от:

от 39,35₽

TK10A60W,S4VX(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.7A,TO220SIS

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 350 шт

Цена от:

от 75,78₽

2SK3264 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 60Вт

Производитель:

Fujitsu Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

ATP114-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A ATPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ATPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Заряд затвора:

92нКл @ 10В

Входная емкость:

4000пФ @ 20В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP6030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

1.9 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4212PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

72.5 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

930 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1417пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRG4BC20SPBF Транзистор биполярный IGBT 600В 19A 60Вт TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

19А

Мощность макс.:

60Вт

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2A,

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLZ24PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6020P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 24A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1590пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD16N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

80нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP12N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STD60N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP45N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 45A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

45A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP6N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8нКл

Входная емкость:

232пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP75N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

23.8нКл

Входная емкость:

2030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"