Одиночные MOSFET транзисторы

₇₀₉

Напряжение сток-исток макс.: 60В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (709)

FQD13N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.5нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD20N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16.8A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD30N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

22.7A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

45 мОм @ 11.4А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

25нКл @ 10В

Входная емкость:

945пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

451 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP11P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

53Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

60 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

53Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

15нКл @ 10В

Входная емкость:

590пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

53Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP47P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 47A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP7P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

410 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

295пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 85A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

85A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

112нКл

Входная емкость:

4120пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

24Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

590пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15.7A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

47Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF47P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

62Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

53A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

62Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

112нКл

Входная емкость:

4120пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT13N06LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT13N06TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.5нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"