Одиночные MOSFET транзисторы

₇₀₉

Напряжение сток-исток макс.: 60В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (709)

IPP084N06L3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP093N06N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP80N06S407AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

7.4 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF1010EZSTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

2810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1018ESPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

79A

Сопротивление открытого канала:

8.4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

2290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

249 шт

Цена от:

от 73,19₽

IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MN

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7478PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 775 шт

Цена от:

от 47,69₽

Акция

IRF7855PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

9.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

1560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 746 шт

Цена от:

от 61,52₽

IRF9Z14STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

119 шт

Цена от:

от 50,78₽

IRF9Z24SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

146 шт

Цена от:

от 18,58₽

IRF9Z34SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 184 шт

Цена от:

от 32,19₽

IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 170А, 10В

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

300нКл @ 10В

Входная емкость:

8970пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4520пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7.3 мОм

Мощность макс.:

99Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFH5006TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7085TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

6460пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7545TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 85A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

85A

Сопротивление открытого канала:

5.2 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"