Одиночные MOSFET транзисторы

1301
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1301)
PHD9NQ20T,118 PHD9NQ20T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 8.7A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
959пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
146 шт
Цена от:
от 98,18
Акция
RFP50N06 RFP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
131Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
2020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 239,43
SFP9530 SFP9530 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
66Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 146,60
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
1.14Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 909 шт
Цена от:
от 24,67
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 424,28
STD20NF20 STD20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 92,05
SUP85N15-21-E3 SUP85N15-21-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
424 шт
Аналоги:
8 430 шт
Цена от:
от 264,33
ZXMP10A18KTC ZXMP10A18KTC Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2.17Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.9нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 96,60
2SK2420 2SK2420 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK2865(TE16L1,NQ) 2SK2865(TE16L1,NQ) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2SK3700(F) 2SK3700(F) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
15*4,5
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
AOD4126 AOD4126 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF1010ZS AUIRF1010ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
2840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF1324WL AUIRF1324WL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 240A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
7630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF1404S AUIRF1404S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 202A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF1404ZS AUIRF1404ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
54 шт
Цена от:
от 347,64
AUIRF2804S AUIRF2804S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
6450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF2804S-7P AUIRF2804S-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
260нКл
Входная емкость:
6930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
823 шт
Цена от:
от 487,79
AUIRF2807 AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3004WL AUIRF3004WL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 386A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"