Одиночные MOSFET транзисторы

10273
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10273)
FDT434P FDT434P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1187пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT457N FDT457N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.06 W @ VGS = 10 V, RDS(ON) = 0.090 W @ VGS = 4.5 V
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
FDT459N FDT459N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86106LZ FDT86106LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
108 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86113LZ FDT86113LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.8нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86244 FDT86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
128 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
395пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86246 FDT86246 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
236 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
215пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86246L FDT86246L MOSFET, N-CH, 150V, 2A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.189ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Pow
Производитель:
ON Semiconductor
FDU3N40TU FDU3N40TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDWS86369-F085 FDWS86369-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
65А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDWS9508L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 80A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDWS9509L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
65А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY100PZ FDY100PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 350мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY101PZ FDY101PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 150мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY102PZ FDY102PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 830мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
830мА
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
3.1нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY2000PZ FDY2000PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.35A 6-Pin SOT-563F лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563F
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
0.35A
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY300NZ FDY300NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 600мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-5% Акция
FDY301NZ FDY301NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.2А 5 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY302NZ FDY302NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDZ375P FDZ375P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
4-WLCSP (1x1)
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"